基于分立器件的SiC MOSFET功率模块门极驱动电路设计

王翰祥, 蒋栋

电工电能新技术 ›› 2018, Vol. 37 ›› Issue (10) : 51-57.

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电工电能新技术 ›› 2018, Vol. 37 ›› Issue (10) : 51-57. DOI: 10.12067/ATEEE1805071
高功率密度SiC变频器应用技术

基于分立器件的SiC MOSFET功率模块门极驱动电路设计

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Design of gate driver circuit using discrete devices for SiC MOSFET power module

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2018, 37(10): 51-57 https://doi.org/10.12067/ATEEE1805071
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_EN}}, 2018, 37(10): 51-57 https://doi.org/10.12067/ATEEE1805071
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
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